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美光拟投资逾50亿美元在日建厂 最快2027年投入运营

美光科技计划在日本广岛县建造一家全新DRAM芯片工厂,最快将于2027年底投入运营,工厂建设将于2026年初正式启动。

5月28日消息称,美国芯片巨头美光科技计划在日本广岛县建造一家全新DRAM芯片工厂,最快将于2027年底投入运营,投资总额预计在6,000-8,000亿日元之间(约合38-51亿美元)。

据悉,该工厂的建设将于2026年初正式启动,并将配备先进的极紫外光刻(EUV)设备系统以支持生产,该技术将大幅提高生产效率和产品质量,从而加强日本本国AGI、数据中心和自动驾驶技术的发展。

原本,美光早就有在日建厂的计划,曾希望这座工厂在2024年便可投入使用,并在2025年开始最先进DRAM产品“1γ(Gamma)”的生产,同时开始研发AGI所必须的高宽频记忆体(HBM),但受制于当前市场环境的诸多挑战和不确定性,公司又调整了原定的时间表。

美光科技

最近几年,基于对过去30年半导体产业领先地位失守的反省,以及国际社会动荡的地缘政治形势,日本政府决定对半导体产业政策进行重大调整,大幅增加了对半导体产业的政策补贴,以期重振其在全球半导体市场中的竞争力和影响力。而此举在日本老龄化日渐加剧之际,也有助于缓和国内不平衡的供需矛盾,逐渐回到技术领先的位置上来。

例如,2023年6月,日本经济产业省重新修订了《半导体和数字产业战略》,宣称其计划到2030年将国产半导体行业销售额提高两倍,至15万亿日元(约合956亿美元)过去三年里,日本政府已向半导体产业投入了价值约3.9万亿日元(约合257亿美元)的补贴,金额相当于日本GDP的0.71%。

对于美光科技来说,该公司此前就曾对日本进行了多次投资。2023年10月,美光科技宣布将在日本投资超5,000亿日元(约合32亿美元),并引进荷兰公司ASML的极紫外光刻(EUV)设备,用于先进芯片的制造。

与此同时,日本经济产业省则宣布,将为美光科技在广岛工厂的存储芯片项目提供高达1,920亿日元(约合13亿美元)的补贴,以支持其在日研发下一代芯片。其中,大约有1670亿日元(约合11亿美元)将直接补贴至新一代DRAM的生产,金额占美光在广岛工厂生产线资本投资的三分之一;而另外的250亿日元(约合1.6亿美元)将用于支持下一代芯片产品的研究与开发,约占研发费用的一半。

具体来说,日本政府对于美光的补贴为双方创造了实现“双赢”的绝佳环境。一方面,可以增强美光在全球内存芯片市场的地位;另一方面,还可以提升日本未来经济安全所需的尖端芯片供应;最重要的是,新工厂的建成投产将为当地创造大量就业机会,进一步推动日本在半导体领域的实力。

据了解,美光科技作为全球半导体行业的佼佼者,其产品范围涵盖DRAM、NAND闪存、CMOS图像传感器等各类半导体组件及存储器模块,应用于前沿计算、消费品、网络和移动便携设备等各个领域,为全球用户提供了高性能、可靠的存储解决方案。

自2013年收购了日本DRAM大厂Elpida后,美光在日本至今已拥有4,000多名工程师和技术人员。这一新厂的建立将进一步增强公司在该地区的研发和生产能力,不仅如此,还将对日本半导体产业产生深远影响,并有望提升日本在全球半导体市场的竞争力。

美光科技

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